Descarga electrostática (ESD: descarga electrostática), debe ser la causa de todos los componentes electrónicos o el sistema de circuito integrado causado por la destrucción excesiva de tensión eléctrica (EOS: electricidad sobre el estrés) de la principal culpable. Porque la electricidad estática suele ser muy alta instantáneamente (varios kilovoltios >), este daño es destructivo y permanente, causando que un circuito directo se quema. Por lo tanto, la prevención del daño estático es el problema número uno en todo el diseño y la fabricación de IC.
Electrostático, por lo general, todo se genera artificialmente, como la producción, el ensamblaje, las pruebas, el almacenamiento, se puede hacer en el proceso de electrostático acumulado en el cuerpo humano, el manejo, el instrumento o el equipo, incluso los componentes acumularán electricidad estática, cuando las personas no sean las personas que el contacto de objeto cargado formará la ruta de la ruta, instantáneamente que el componente electrónico o el sistema se dañó por la descarga de la descarga electrostática (esto es el que la computadora de la computadora de la computadora de la computadora previa debe usar la computadora previa en la computadora. Daño chips), ya que la carga eléctrica almacenada en la nube en un instante un rayo dramático a través de las nubes, la tierra se abriría, y generalmente todo en el día lluvioso, porque la humedad del aire es fácil de formar conductiva.

El método de prueba y estándar de ESD: de acuerdo con la forma de generación electrostática y el modo de daño del circuito, generalmente se divide en cuatro métodos de prueba: modo de descarga del cuerpo humano (HBM: modelo de cuerpo humano), modelo de máquina (modelo de máquina), modo de carga de componentes (CDM: modelo de dispositivo cargable), FIM: modelo inducido por el campo), pero la industria generalmente usa los primeros dos modelos para probar (HBM, MM).
1. Modo de descarga humana (HBM)
It's the friction of the human body that creates the electric charge. Suddenly, the electric charge released by the chip causes the chip to burn down and break down. This is why people often get electrocuted when they touch others in autumn.There are also traces of ESD standards for HBM in the industry (MIL-STD-883C method 3015.7, effective human capacitance is 100pF, effective human resistance is 1.5Kohm), or the international electronic industry standard (EIA/JESD22-A114-A) also has provisions, which one you want to follow.If mil-STD-883C method 3015.7 is adopted, it specifies class-1 for those less than <2KV y Clase 2 para aquellos entre 2KV y 4KV y Clase-3 para aquellos entre 2KV y 4KV.
2. Modo de descarga de la máquina (mm)
Por supuesto, el pasador se libera cuando la electricidad estática generada por el movimiento de la máquina (como el robot) toca el chip, el segundo estándar es EIA-IC-121 Método 20 (o EIA/ Jesd22-A115-A), la resistencia de la resistencia y la máquina efectiva es 0 (debido al metal), y la captura es que la Capacidad aún es 100pf. US.However, the more important problem is that, since the effective resistance of,, and is 0, the current is very large, so even the discharge of 200V MM is more harmful than that of 2kV HBM.And the machine itself has a lot of wires coupling to each other, so the current will change with time interference change,ESD test method similar to the inside of the FAB GOI test, after the specified pin to give him a ESD Voltage, for a period of time, and Luego regrese para probar Electrical Véase si está dañado, no hay problema para agregar un paso durante un período de tiempo, el voltaje de ESD y la medición eléctrica, por lo que hasta la descomposición, en este momento la desglose del voltaje de desglose crítico para el voltaje de ESD (voltaje del umbral de falla de ESD). Generalmente, aplicamos 3 Zaps a los tres veces. Para reducir el ciclo de prueba, el voltaje inicial generalmente utiliza el umbral de ESD del 70% del voltaje estándar. Cada paso se puede ajustar solo de acuerdo con las necesidades de 50V o 100V.